MOS管并联均流技术分析
IGBT管并联均流技术分析
BJT 管并联均流技术分析


普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率不满足设计的需求时就遇到了并联mos管的问题。并联mos管的两大问题，其一就是mos管的选型，其二就是mos管参数的筛选。
首先我们测试从某网店购买的IRF4905型PMOS管。从图中可见此PMOS管的字符与常见的IR公司器件有较大差异，遂使用DF-80A型二极管正向压降测试仪对此mos管进行实际的ID-VDS曲线测试。先从官网下载IRF4905的ID-VDS曲线，可见当Vgs为-6.5V时，Id约在90A时恒流。
电路连接方式如下图。调节电位器，使Vgs=-6.5V。
实际测试：ID扫描范围：0-100A，测试脉宽300微秒。可见该器件的实际测试图
实际测试：ID扫描范围：0-100A，测试脉宽300微秒。可见该器件的实际测试图
该测试曲线为一奇怪的测试曲线，在8*附近类似恒流趋势，但是随后曲线发生转折，变成了近似恒压曲线。敲开该mos管发现，内部晶片仅芝麻粒大小。
从手册上可得该PMOS管的电流可达74A，显然此批料为假货。如果购料后没经过测试即上机，几乎必然出现炸管事故。
我们再从本地电子市场购买一管IRF4905。
再次用DF-80A型二极管正向特性测试仪测量ID-VDS曲线。参数同上：ID扫描范围：0-100A，300us脉冲宽度。测量结果如下：该曲线与数据手册的描述相符。
进一步解剖结果显示，该PMOS管晶片面积大，且金属部分呈紫铜色，与假芯片MOS管形成了鲜明对比。而且使用DF-80A型二极管正向压降测试仪测试时，ID电流均是脉冲形式，平均功率很低，所以待测MOS管均不明显发热，保护器件不受损。
选定了MOS管的供应商后将挑选参数尽量一致的MOS管。图为一块具有16只IRF4905管的待测部件。
这些MOS管源极并联，栅极通过电阻网络连接，漏极悬空待测。测试方法同上。利用该软件的Excel数据导出功能，可以很方便的比较每个MOS管的特性曲线。
图为16只MOS管的ID-VDS曲线，使用Excel的绘制折线图功能生成。该曲线清晰展示了有4只mos管的导通电阻小于其余的MOS管，这些MOS管工作时将流过更大的电流，易受损。因此将这四只MOS管换新后，16条ID-VDS曲线近乎**重合，达到了并联使用要求。


资讯来源：长春艾克思科技