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随着科技迅速发展，依托于汽车、电脑、手机及工业等应用领域的电源产品也被应用于更多方面。而在当下电源市场，更小尺寸、更高功率的电源产品着实已成为商家竞相追逐的风向标。全球性半导体设计制造公司德州仪器（TI）作为不断深耕集成电路（IC）及嵌入式处理器的研发者，**携高达10kW应用的新型即用型600V氮化镓（GaN）功率级产品组合亮相北京TI新闻发布会，为电源市场带来了不少亮点。

GaN FET器件系列产品通过集成独特的功能和保护特性，来实现简化设计，达到更高的系统可靠性和优化高压电源的性能，为传统级联和独立的GaN FET提供了智能替代解决方案。

在应用GaN的的具体功率器件中，TI主推了LMG3410R050、LMG3410R070和LMG3411R070三款产品。它们的竞争优势在于：1、更小、更**的解决方案。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，德州仪器的集成GaN功率级可将功率密度提高一倍，并将损耗降低80%。每个器件都具有快速的1MHz开关频率和高达100V/ns的压摆率。2、系统的可靠性。此系列产品组合接受了超过2000小时的包括加速和应用内硬开关的设备可靠性测试。并且，每个器件均提供集成的散热和高速、100ns过流保护，以防止直通和短路情况。3、每个功率级的设备配套服务。50mΩ或70mΩ条件下，本产品组合中的每个器件均提供一个GaN FET、驱动器并提供保护功能，可为低于100W至10kW的应用提供单芯片解决方案。

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