一、高频变压器的绕制技术：
三明治绕法的好处主要是增加初次级的耦合面积，降低漏感，从而可以降低MOSFET关断时的漏感尖峰电压，降低MOSFET的电压应力，在低压输出时可以提升效率。

但在增加耦合面积的同时，使绕组间的分布电容加大，而绕组间电容是共模干扰信号主要的传递路径，故三明治绕法会使EMI性能变差。

采用初级包次级还是次级包初级的绕法，主要是从EMI(du/dt)与散热(大电流流过绕组)两个方面来考虑的。

●疏绕跟密绕:
二、变压器的EMI处理
从原理上来说，最有利于EMI的绕法是减少初次级之间的耦合电容，也就是说要加大初次级之间的距离，但这又会增大漏感，反而会增大电路损耗与EMI强度，所以需要综合考虑。

一般常见的方法是在初次级之间增加一个Y电容，将返回地线的共模电流直接短路到初级地线，减少通过地线返回的电流。

还有一种方法是在初次级绕组之间加入法拉第屏蔽层（静电屏蔽），将初次级之间的共模信号直接短路到初级地，有加铜箔(0.9T或1.1T)与加绕组(绕组的感应电压与被屏蔽绕组电压相反)两种方法。

对于辐射一般是在变压器最外层加入一个短路的屏蔽铜箔，将辐射的电磁能量以涡流的形式消耗掉，且涡流的磁场方向跟原变压器的干扰磁场相互抵消。
http://www.cenkersz.com/bbs.html

资讯来源：http://www.cenkersz.com/byqlb.html