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TC-FPDXX2 C 97289371 B01电源渠道商下面介绍电源功率器件静态参数测试：

静态参数主要是指自身固有的，与其工作条件无关的相关参数，主要包括：门极开启电压、门极击穿电压，集电极发射极间耐压、集电极发射极间漏电流、寄生电容（输入电容、转移电容、输出电容），以及以上参数的相关特性曲线的测试。

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等全新宽带隙资料可以支持大电压和高切换速度，在新兴大功率应用范畴具有宽广前景。IGBT 能够作为众多应用的电子开关，并且其重要性持续增加。在高电压直流偏置条件下（高达 3kV），高击穿电压（达 10kV）、大电流（数千安培）、栅极电荷以及衔接电容表征和器件温度特征和 GaN 器件电流解体效应丈量功用都非常必要，是推进新器件尽快上市的重要保证。

面对功率器件高压、高流的测试请求，Keysight 能够提供 B150 和 B1506A 两套测试计划，能够支持晶圆和封装器件全参数测试：

■丈量一切 IV 参数（Ron、BV、走漏、Vth、Vsat 等）；■丈量高电压 3kV 偏置下的输入、输出和反向转移电容；■支持自动 CV 测试；

■丈量栅极电荷（Qg）；

■电流崩塌测试；

■上下温测试功用（-50°C 至 +250°C）。



资讯来源：汕头罗克自动化