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8122.389.3606 ASML激光器渠道商介绍，当前半导体制程微缩到10纳米节点以下，包括开始采用的7纳米制程，以及未来5纳米、3纳米甚至2纳米制程，EUV极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备。藉由EUV设备导入，不仅加快生产效率、提升良率，还能降低成本，使不仅晶圆代工业者积极导入，连DRAM记忆体的生产厂商也考虑引进。为了因应制程微缩的市场需求，全球主要生产EUV设备的厂商艾司摩尔（ASML）正积极开发下一代EUV设备，就是High-NA（高数值孔径）EUV 产品，预计几年内就能正式量产。

根据南韩媒体《ETNews》报导，High-NA的EUV设备与目前EUV设备的**不同点，在于使用EUV 曝光时，透过提升透镜解析度，使解析度（resolution）和微影叠对（overlay）能力比现行EUV系统提升70%，达到业界对几何式芯片微缩（geometric chip scaling）的要求。ASML利用德国蔡司半导体业务部门的技术提升透镜解析度，就为了此目的，ASML 2016年正式收购德国蔡司半导体业务部门24.9%股权。

针对下一代High-NA的EUV 产品，ASML之前也已从3个主要客户取得4 台订单，并售出8台High-NA EUV产品的优先购买权。这些订单中，晶圆代工龙头台积电也是其中之一。2018年时，台积电就宣布增加3亿美元资本支出，为下一代EUV设备的预付款，也就是已预购新一代High-NA的EUV设备。针对新一代High-NA EUV设备，ASML预计2025年正式量产。



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