基本半导体全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器,MRI医疗电源等. 光伏逆变器专用对称拓扑和飞跨电容拓扑直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。

现代**电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的**方案。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器，变换效率高，被广泛应用于新能源领域,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，高压侧接入PV直流侧，低压侧接电池组。LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他开关电源,其输入输出电压调节范围较宽,且具有**率,低噪声,高功率密度等诸多优点.与传统Si基功率器件相比,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块具有更加优良的特性,更加适用于高频高压大功率场合.针对单相LLC谐振变换器在大电流大功率输出应用时的不足,采用三相交错并联的LLC谐振变换器拓扑并将其与BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块相结合提升功率密度.双向LLC谐振变换器广泛应用于充电桩电源模块，V2G电源模块，电网储能PCS，从调峰调频到备电、价差套利，储能将成为新型电力系统的稳定器，双向LLC谐振变换器电源模块化助推储能PCS业务发展。

基本半导体混合SiC功率模块 Hybrid SiC Module主要特点： 1.与普通IGBT模块相比，混合SiC模块可大幅降低FRD的开关损耗与 IGBT 的开通损耗，有助于电力电子设备的降低功率损耗。不同应用条件下总损耗可以
降低20~40%。相对全SiC模块，性价比更高。
2.可以显著提高功率模块开关频率。因此有助于缩减输出滤波电感电容等周边元器件的规格成本，实现整机的小型化、在现有系统的不变的情况下，将普通IGBT模块更换为混合SiC模块实现更大的输出功率。
3.多种电流及封装规格,半桥结构。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V
典型应用：测试电源-直流源，除尘电源，等离子切割，电源医疗电源CT， MRI，轨道交通辅助电源

**逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于单相逆变器，该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流，以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低功率范围内（如屋顶光伏系统），其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路功能的第五、六开关。其**隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无功交换，提升系统效率，且降低寄生电容上的电压高频分量，**漏电流,通过利用BASiC基本半导体SiC碳化硅器件的开关损耗低特性，单相HERIC电路中，用单一器件BASiC基本半导体650V混合SiC-IGBT单管可以**降低高频管的损耗，显著降低器件的工作结温，提升系统效率,BASiC基本半导体650V混合SiC-IGBT单管继承了经典的TO247封装，客户可以在不变更PCB和电路情况下，对老的产品进行直接替换，从而在*短时间内达到系统效率的提升和增加开关频率的目的。同时，由于器件带来系统损耗减少的优势，可以降低散热设计要求和成本；开关频率提升可以**降低并网电感的尺寸和大小，减少电流谐波对电网的污染。HERIC电路设计的拓扑结构可以实现高达99％超高转化效率，同时将EMI保持在较低的水平。除了具有更高的能量输出的优点外，这种拓扑结构还降低了部件的热应力，因而散热器可以设计得更小，使用寿命却更长。行业普遍认为到目前为止，这是户用光伏逆变器储能变流器PCS设备中较好的设计。

该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之间，在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET，可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡，具有重要的应用价值，特别适用于对功率密度提升有需求，同时更强调性价比的电源应用领域，如车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、UPS等。



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