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半导体级SiC合成原料6N超高纯度石墨粉 西格里V2298 耐高温导电

产品概述　
西格里6N超高纯度石墨粉是专为第三代半导体碳化硅（SiC）单晶生长研发的核心原料，纯度达99.9999%（6N级），严格符合半导体行业对痕量杂质（硼、铝、钒等）的ppm级控制要求。本产品采用德国西格里集团专利提纯工艺，结合高温热化学处理技术，确保纳米级颗粒均匀性（D50≤1μm），适用于物**相传输法（PVT）生长高质量SiC晶体，满足新能源汽车、5G通信、光伏等高端领域需求[[3]。
核心特性　
1. 超高纯度与稳定性　
　 通过2700℃高温提纯及多级化学纯化工艺，金属杂质含量低于0.1ppm，氮浓度≤5ppb，**避免SiC晶体电学性能劣化，为制备半绝缘衬底提供可靠保障[[7]。　
2. 耐极端高温环境　
　 石墨粉在2000~2500℃的SiC晶体生长炉中表现优异，热膨胀系数低至4.5×10⁻⁶/℃，可长期耐受高温熔融硅蒸汽环境，确保晶体生长过程稳定性[[6]。　
3. 优异导电与热导性能　
　 电阻率≤15μΩ·m，热导率高达120W/(m·K)，适配高频功率器件对材料导电和散热需求，广泛应用于SiC外延片、MOSFET及IGBT芯片制造[[5]。　
应用场景　
- SiC单晶衬底合成：作为PVT法核心碳源，与高纯硅粉反应生成SiC微粉，用于4H-SiC导电型及半绝缘型晶圆生产[[4]。　
- 半导体设备关键部件：用于制造长晶炉石墨坩埚、加热器等耐高温组件，保障设备在极端工况下的使用寿命[[8]。　
工艺与质量认证　
本产品通过ISO 9001质量管理体系认证，符合《碳化硅单晶用高纯石墨粉》行业标准（碳含量≥99.9996%），支持定制粒径（800~15000目）及微量元素控制，满足客户差异化需求。　
“现货直发/支持试样”；针对科研客户，可补充“提供XRD、GDMS全项检测报告”等增值服务。
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